石墨舟狀態(tài)對鍍膜均勻性的影響

將新石墨舟及應(yīng)用超出三年的舊石墨舟飽和狀態(tài)后開展PECVD表層的鍍膜，片間勻稱性差別如圖所示7所顯示。由圖7得知，新石墨舟表面平面度好，石墨舟片導(dǎo)電率一致，塑料薄膜分子結(jié)構(gòu)能夠勻稱地沉積在硅片表面，片間勻稱性更優(yōu)質(zhì)。圖8為新石墨舟在應(yīng)用周期時間內(nèi)的片間勻稱性趨勢分析圖。

新石墨舟飽和狀態(tài)后在沉積時仍有一部分等離子技術(shù)在石墨舟上面沉積，運(yùn)作頻次低于三十次時，伴隨著運(yùn)作頻次的提升，石墨舟上面沉積的等離子技術(shù)降低，片間勻稱性越佳。運(yùn)作頻次超過三十次后，伴隨著應(yīng)用頻次的提升，石墨舟片內(nèi)腔與硅片觸碰邊沿處塑料薄膜增厚，靜電場反倒強(qiáng)大，產(chǎn)生大量的低溫等離子沉積，易出現(xiàn)不一樣水平的邊沿泛白狀況，造成 片間勻稱性多次下降。